【摘 要】
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高频介质陶瓷材料的应用越来越广泛,对它们的研究也越来越深入.在种类众多的高频介质陶瓷材料中,该论文选取MgO-SiO-TiO系介质材料为主要研究体系,研究工作的目的在于进一步
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高频介质陶瓷材料的应用越来越广泛,对它们的研究也越来越深入.在种类众多的高频介质陶瓷材料中,该论文选取MgO-SiO<,2>-TiO<,2>系介质材料为主要研究体系,研究工作的目的在于进一步改善MgO-SiO<,2>-TiO<,2>系介质材料的介电性能,使其各项性能指标均得到进一步优化.该论文所研究的陶瓷材料以MgO-SiO<,2>-TiO<,2>为基本系统,以ZnO-B<,2>O<,3>为助熔剂,从而降低瓷料系统的烧结温度,以Co<,2>O<,3>、CaTiO<,3>和(Zr<,0.8>Sn<,0.2>)TiO<,4>(ZST)作为添加剂,使介质瓷料的介电损耗、电容量温度系数、介电常数和绝缘电阻均满足实验的设计要求.在实验中借鉴了高频介质瓷的基本组成原则,研究了基料的最佳配比和可提高MgO-SiO<,2>-TiO<,2>系介质瓷料的介电性能的各添加剂的最佳含量,以及基料的预烧温度、ZST的预烧温度、瓷料系统的烧结温度等工艺对瓷料系统介电性能的影响,并对瓷料样品的显微结构进行了观察、分析.
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