绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的显著优点。IGBT是场控制器件,故有较大的输入阻抗,又由于它导通时利用了双极型载流子的电导调制效应,故可以有较小的导通压降,从而使得导通时功率损耗较小。但是由于其非平衡载流子的存在,也使得IGBT的开关速度降低,特别是在IGBT关断存在电流拖尾时,这限制了IGBT在更高频率的应用,同时增加了开关功耗,也造成了更大的可靠性问题。　　本文从器件物理的角度出发,分析了IGBT的工作机理,并指出制约IGBT速度的核心之处就在于非平衡载流子的复合速率。进一步通过对IGBT原胞器件的理论和实验分析,在原胞器件结构上进行创新,设计出新型IGBT器件结构,集电极带P+区的Super iunctionIGBT,改进了上述导通损耗与开关速度之间的制约关系,即在保持较小导通损耗的同时最大限度地提高其开关速度,特别是消除关断时的电流拖尾现象。　　同时以目前主流的NPT型IGBT为基础,在分析各种功率型终端结构的基础上,通过优化参数和调整结构,匹配其合适的终端,以复合场环和场板相结合的结构,发展出适用于实际生产过程的1200V75A高速低功耗IGBT,完成全部详细的适用于实际生产线的工艺流程,以满足器件高压大功率的要求,并同时考虑器件安全性和成本的节约,尽可能以最小的面积满足耐压要求,以求达到降低实际生产成本的目的。最终完成芯片完整设计和流片。