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第三代半导体材料中，GaN材料具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaN HEMT的研究已经取得很大的进展，但应力诱导的压电问题一直是AlGaN/GaN HEMT的主要问题之一。In组分为17％的InAlN能够与GaN完全匹配，消除压电应力，进而改善器件因异质结界面应力引起的可靠性问题。而InAlN/GaN HEMT的研究相对较少，尤其是在国内InAlN/GaN HEMT的研究才刚起步。在此背景下本文主要针对InAlN/GaN HEMT进行了研究。 首先，设计并制备了栅长为1.5μm，栅宽分别为40μm和100μm的InAlN/GaN HEMT，并对栅长为1μm，栅宽为2.5mm的空气桥结构InAlN/GaN HEMT进行了工艺研究。器件的漏极和源极欧姆接触采用Ti/Al/Ti/Au合金系统；栅极肖特基接触采用Ni/Au合金系统。 其次，对自主研制的InAlN/GaN器件的直流特性进行了测试，跨导Gm在Vgs=-2V时最大值为200mS/mm；Vgs=1V时饱和漏源电流Ids=870mA/mm。采用I-V法及C-V测试Ni/Au与应变的InAlN/GaN异质结形成的肖特基势垒。通过测量肖特基势垒的C-V特性，给出界面缺陷电荷密度，并分析了异常输出特性曲线形成的原因。 最后，对GaN基HEMT二维的器件参数进行特性仿真，包括电学特性仿真以及热特性仿真。主要的研究工作和成果如下： 1.分析了GaN基异质结的极化掺杂效应在GaN基HEMT器件结构中的作用。 2.探究了GaN基异质结沟道中2DEG浓度随结构参数影响的变化规律，尤其是器件势垒层厚度d和势垒层中In含量对其影响。 3.确定了仿真HEMT器件时的模型和结构，以及基本设置方法，分析了HEMT器件中结构参数的变化对器件直流特性的影响。 4.对GaN基HEMT的热特性做了进一步的分析，从自热效应对电学特性的影响以及器件热形貌分布做了详细探究。