随着电子产品的不断应用,静电危害及电磁污染日益加深。陶瓷是建筑中最重要的材料之一,防静电陶瓷的应用不仅可以起到较好的装饰作用,还可以从根本上消除静电及电磁辐射对各行各业和人体带来的危害。本文选取锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体作为防静电功能粉体,通过醇盐水解法及自蔓延法制备出ATO导电粉体。结果表明：醇盐法与自蔓延法相比,更具有操作可行性,制备出的导电粉体综合性能更好。得出了醇盐法制备的最佳条件：反应pH为2、煅烧温度600℃、氯化锑加入量6%。为使粉体的各项性能得到提高尝试多种氧化物掺杂,发现掺杂一定量的氧化锌可显著的提高粉体的导电性,选用最佳试验条件制备出的样品的电阻率可达到1.864Ω·cm。利用ATO包覆纳米二氧化钛制备出包覆型粉体,制备出的粉体电阻率可达到37Ω·cm。在坯体中加入掺杂氧化锌导电粉体,当导电粉含量达到15%时,坯体的导电性能可达到防静电材料的要求。以导电粉含量为30%的坯体为素坯,在釉料中分别添加掺杂型和包覆型导电粉体,表面施釉制备出两种类型的防静电陶瓷样品。结果表明：当釉料中掺杂型导电粉含量达到5%时,陶瓷整体导电性能达到了防静电材料的要求；加入量达到30%时,陶瓷具有一定屏蔽效果,样品对低频电磁波的屏蔽效能可达到31.12dB,可有效的吸收低频电磁波。以包覆型导电粉作为导电填料加入到釉料中,加入量为10%时,样品性能达到防静电要求,ATO粉体用量减少了25%左右,还使陶瓷具备了抗菌、自洁等功能。