高频器件对由封装结构引起的寄生效应越来越敏感,因此需要对封装结构寄生效应进行参数分析,以便保持封装后的信号质量和信号完整性。由于具有占用空间小,良好的电气性能和优异的散热特性,方形扁平无引脚(Quad Flat No-lead Package,QFN)封装在便携式无线设备领域有着巨大的应用前景。针对QFN封装结构的电学及热学研究有着更加重要的现实意义。　　本文采用电磁仿真软件和热仿真软件提取出QFN封装结构的RLC参数、S参数以及热阻参数,分析了不同厚度引线框架、不同导电焊盘间距、不同种类键合金属线对QFN封装电学及热学参数的影响。本文针对QFN封装产生寄生效应的主要来源引线框架和键合金属线单独列出并进行了建模,分别整理出引线框架和键合金属线在不同情况下的电学参数列表。本文所采用建模方法可以推广到BGA、LGA等无引脚封装结构中,当把这些封装结构中的各个组件参数包含在一个封装模型库中后,进行具体封装设计时便可直接参考这些数据,而不需要在设计好完整封装结构后进行仿真再优化设计,这便提高了封装设计的速度。