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透明导电薄膜因为同时具备良好的导电率和可见光波段透过率而被广泛应用于太阳电池、发光二极管和平板显示器等半导体器件。其中,ITO薄膜是目前研究和应用最多的一种透明导电薄膜。本文利用射频磁控溅射法在p型单晶Si(2-3?cm)和玻璃衬底上沉积ITO薄膜,通过XRD衍射仪、SEM电子显微镜、紫外-可见分光光分度计、四探针测试仪、霍尔效应测试仪、TLM测试法、吉时利2400表等表征,分析了衬底加热和热处理温度对ITO薄膜的结晶性能、表面形貌、光电性能及其与p-Si接触性能的影响。发现室温下沉积的ITO薄膜为非晶态而光电性能较差,200℃衬底温度下沉积得到的ITO薄膜的光电性能和结晶性能有明显改善。然而衬底温度为200℃时沉积的ITO薄膜与p-Si的接触性能较差,室温下生长的ITO薄膜与p-Si的接触为欧姆接触。为了同时得到ITO薄膜的良好光电性能及其与p-Si的欧姆接触,本文对室温下沉积的ITO薄膜试样进行了退火处理。ITO薄膜的光电性能随退火温度的升高大幅提升然后轻微下降。300℃退火后的ITO薄膜的光电性能最优,电阻率和可见光波段透过率分别为5.4×10-4?·cm和92.9%。退火处理能够降低ITO薄膜与p-Si的接触势垒和比接触电阻,然而退火温度过高将破坏接触性能。300℃退火后的势垒高度和比接触电阻最低分别为0.454eV和2.8×10-3?·cm2,但是300℃退火后接触性能由欧姆接触向非欧姆接触转变。为了解决ITO薄膜与p-Si接触性能在较高温度退火后变差的问题,本文采用TiW合金作为接触的扩散阻挡材料,以阻挡界面处的氧化层产生。实验中利用射频磁控溅射法在p-Si(2-3?cm)上沉积TiW合金薄膜,并优化了退火条件,TiW合金薄膜与p-Si经过250℃保温60min后450℃的退火能够形成欧姆接触。通过对该接触的微观结构分析,发现该接触为无合金化过程的欧姆接触。本文最后利用磁控溅射制备了ITO/TiW双层薄膜,并研究了TiW层以及ITO层厚度对ITO/TiW双层薄膜光电性能的影响,以此优化了各层厚度,最终得到了具有最优光电性能的ITO(110nm)/TiW(8nm)双层薄膜。实验中还发现TiW层的引入能够改善上层ITO薄膜的结晶性能。本文所制备的ITO(110nm)/TiW(8nm)/p-Si接触,得到的比接触电阻为4.1×10-4?·cm2,TiW层的引入明显改善了ITO/p-Si的接触性能。