【摘 要】
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该文从器件特性、工艺技术以及理论分析三方面对槽栅器件进行了分析研究.首先对槽栅器件的性能进行了仿真,并与平面器件进行了比较,指出其性能上的改进主要源于凹槽结构所带
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该文从器件特性、工艺技术以及理论分析三方面对槽栅器件进行了分析研究.首先对槽栅器件的性能进行了仿真,并与平面器件进行了比较,指出其性能上的改进主要源于凹槽结构所带来的拐角效应,因而较好地抑制了小尺寸效应,但同时也导致了漏极驱动能力降低和寄生电容增大的问题.其次,对槽栅器件的制备工艺进行了模拟仿真,重点是如何较好地解决杂质元素向栅氧化层中的扩散,并针对该问题提出了若干可行的工艺方法,如改变生长时的气体组分、改变工艺顺序等.RIE刻蚀是槽栅器件制备中的关键工艺步骤,通过测量RIE刻蚀后Si/SiO<,2>系统的高频和准静态C-V曲线,分析研究了RIE刻蚀对Si/SiO<,2>界面特性的影响.论文最后针对槽栅PMOSFET,对其阈值电压的解析模型进行了简单推导,并将理论值与模拟值进行了比较,分析了误差产生的原因.
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