随着微电子信息技术的迅猛发展，对基板材料的性能提出了更高的要求。陶瓷基板实现高密度多层布线的方式有高温共烧(HTCC)和低温共烧(LTCC)两条途径。采用LTCC便于制作大尺寸、大容量基板，成本低，可植入电阻、电容、电感等无源元件，特别是与硅的热膨胀系数相匹配，介电常数低，在高频带具有明显的低损耗性能，适用于射频、微波、毫米波器件，在无线电通信、军事及民用等领域有广泛应用。 本文选择玻璃/陶瓷复合材料的技术路线，首先制得了硼硅酸盐玻璃以及陶瓷充填相的粉体，分别采用干压和泥浆浇注工艺成型，最后在电炉中低温烧结，获得了LTCC的实验样品。实验采用BT-9300H型激光粒度分布仪分析了粉体的粒径和粒度分布，用X-射线衍射分析了玻璃与陶瓷的析晶情况，用Alpha-S型宽频介电和阻抗谱仪测试了陶瓷基片的介电常数和介电损耗，用直流电阻率测量了直流电阻率，用JSM-6360LV型电子扫描电镜观察了陶瓷基片内部结构，用OHAUSAR1140电子分析天平测定了陶瓷的气孔率。通过这些研究方法，论文系统研究了LTCC的组成、粉体制备、粒度配比、成型工艺以及烧结过程对性能的影响。