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目前，发展和完善非微扰处理电子—光子相互作用的固体理论并应用于研究电子气系统强场磁光效应具有重要的意义和应用前景。本论文采用含时固体理论，非微扰处理电子气系统中电子与强磁场和强光场的交互作用，研究在强磁场以及强太赫兹激光或强微波场共同作用下电子气系统的非线性磁光电响应特性以及极性半导体中存在声子散射时类氢杂质态的变化特征。主要内容如下: (1)研究了在强磁场和强太赫兹光场作用下抛物线型量子点系统中存在声子散射时的磁光电响应特性。发现在较弱光辐照下，能够在Kohn频率附近观察到两个回旋共振(CR)吸收峰，并且CR吸收峰的强度和宽度随辐射强度的增强而增强。同时在Kohn频率处的CR效应比低Kohn频率处的CR效应显著。当辐射强度足够强时，能够观察到CR吸收峰的劈裂效应，而且辐射强度越强CR峰的劈裂效应越明显。 (2)研究了强磁场和强微波场作用下AlGaAs/GaAs基二维电子气系统的磁电阻率振荡效应。在微波辐射强度较弱时观察到了CR效应，而且随着辐射强度的增强CR效应越发明显。当辐射足够强时，能够观察到CR磁电阻率峰的劈裂效应，而且CR峰的劈裂效应随辐射强度的增强而增强。与此同时，在高磁场区域能观察到Shubnikov-deHaas(SdH)振荡，发现高磁场下SdH振荡随微波辐射强度的变化并不显著。 (3)研究了在磁场和强太赫兹光场作用下极性半导体中存在声子散射时类氢杂质态的变化特征。结果表明，杂质束缚能随辐射强度与磁场强度的增强而增大或随着辐射频率的增加而减小。然而，不同杂质态间的跃迁能量随着辐射强度的增强而减小或随着辐射频率的增强而增加。当辐射强度足够强时，可以观察到多光子过程，并在低磁场强度时也能观察到与光学声子散射耦合所引起的共振峰。