【摘 要】
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GTO为自关断器件，应用广泛。本文目的是研究GTO工艺，研制出国产的3kA／4.5kV GTO，作为核心部件，替代进口元件，应用在大功率交流机车上，促进铁道交通运输的发展。文章主要对3kA／4.5kV GTO器件的关键工艺—离子注入扩散、光刻和挖槽进行了研究试验。在GTO的制造中引入离子注入、微电子光刻及挖槽技术，改善扩散参数的均匀性，提高光刻和挖槽精度，提高GTO的阳极关断电流能力。研究硼离子注
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GTO为自关断器件，应用广泛。本文目的是研究GTO工艺，研制出国产的3kA／4.5kV GTO，作为核心部件，替代进口元件，应用在大功率交流机车上，促进铁道交通运输的发展。文章主要对3kA／4.5kV GTO器件的关键工艺—离子注入扩散、光刻和挖槽进行了研究试验。在GTO的制造中引入离子注入、微电子光刻及挖槽技术，改善扩散参数的均匀性，提高光刻和挖槽精度，提高GTO的阳极关断电流能力。研究硼离子注入技术和铝扩散工艺，形成独创的离子注入硼杂质+闭管铝扩散工艺，使GT
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