【摘 要】
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金属氧化物半导体材料凭借其本身高迁移率、高的可见光透过率以及优异的电学稳定性成为新型平板显示领域的主要研究对象。目前,关于金属氧化物半导体材料的文献报道主要以n型金属氧化物的制备为主,关于p型金属氧化物材料制备的报道则相对罕见,这一研究现状严重制约了p型金属氧化物半导体材料在薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)中的应用。本研究采用了一步合成技术在较低的退火温度下制备了
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金属氧化物半导体材料凭借其本身高迁移率、高的可见光透过率以及优异的电学稳定性成为新型平板显示领域的主要研究对象。目前,关于金属氧化物半导体材料的文献报道主要以n型金属氧化物的制备为主,关于p型金属氧化物材料制备的报道则相对罕见,这一研究现状严重制约了p型金属氧化物半导体材料在薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)中的应用。本研究采用了一步合成技术在较低的退火温度下制备了Cu_2O薄膜并进一步成功制备出电学性质优异的Cu_2O/SiO_2 TFTs器件,并对所制备的Cu_2
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