【摘 要】
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半导体激光器的阈值电流密度J随温度的增加而迅速增加.在某一温区T-T之间,J的温度特性可表为:J(Texpⅰ(T-T)/Tⅱ.其特征温度T一般只60K左右,因而成为应用上的一个难题.为了从
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半导体激光器的阈值电流密度J<,th>随温度的增加而迅速增加.在某一温区T<,1>-T<,2>之间,J<,th>的温度特性可表为:J<,th>(T<,1>expⅰ(T<,2>-T<,1>)/T<.0>ⅱ.其特征温度T<,0>一般只60K左右,因而成为应用上的一个难题.为了从根本上克服这个问题,必须搞清其产生的机制,并选用新材料或采用新设计来提高T<,0>.在该论文工作中研究了半导体的体材料和量子阱的CCCH和CHHS过程的带间俄歇复合,价带间光吸收以及双轴应变下的价带结构理论,并分析计算了新材料系统1.65μmIn<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As,1.3μmIn<,0.72>Ga<,0.28>As<,0.6>P<,0.4>/InP以及体材料和量子阱结构在100-500K温度下的CCCH过程和CHHS过程俄歇复合率,价带间光吸收系数以及双轴应变下1.65μmIn<,1-x>Ga<,x>As/In<,0.72>Ga<0.28>As<,0.6>P<,0.4>量子阱结构中的CCCH和CHHS俄歇复合率和价带间吸收系数.最后算光增益谱求出各材料阈值电流密度随温度的变化及其相应的T<,0>值.
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