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本篇论文主要基于以下三方面的工作。其一，Bi2Sr2CaCu2Os单晶样品的制备。用固态反应方法制备了Bi2212及其掺杂不同Pb和Y含量的单晶样品，为下一步的实验测量工作打下基础。其二，采用离子和光刻技术在Bi2。4-xPbxSr2CaCu2O8单晶表面制备了本征Josephson结，用三端和四端电测法测量了零场下不同样品处于不同恒定温度的电流-电压关系。对跳跃电压间距与温度关系给出了拟合经验公式。并且从能量对比的观点用Colomb阻塞效应对返回电流(returncurrent)以及McCumber系数二者与结数目间的关系进行了分析。其三，对其本征Josephson结的磁通耗散性质进行了研究。测量了不同磁场下本征Josephson结的电阻展宽特性，探讨了外加磁场和Pb掺杂量对样品的热磁通输运性质的影响。