多晶碘化汞厚膜由于具有禁带宽度大(Eg=2.13eV)、原子序数高(Hg为80，I为53)、密度大(ρ=6.4g/cm3)等优点，被认为是制备室温核辐射探测器的最有前途的新材料之一，可广泛应用于无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。本论文研究了高纯碘化汞多晶原料的制备，探索了多晶碘化汞厚膜的生长工艺，并研究了探测器的表面处理、电极制备和封装等制备工艺及其对器件性能的影响。 本文采用真空多级升华法对本实验组制备的高纯碘化汞多晶原料进行了进一步的提纯。ICP-AES法和EDS图谱研究表明，经过提纯后的碘化汞多晶原料的杂质含量可控制在10-5级以下，并且其中碘与汞的化学计量比不会改变。改进了热壁物理气相沉积法(Hot-WallPVD)晶体生长装置，并探索了制备质量较好的碘化汞多晶厚膜的生长工艺，分析讨论了不同生长工艺参数对生长膜的质量的影响，得出了较好的生长参数。用金相显微镜、XRD、红外透射仪等对制备的多晶碘化汞厚膜进行了表征，结果表明采用特定参数生长的厚膜的纯度高，结构均匀，致密性好，且为沿(001)晶向优先取向。 研究了多晶碘化汞厚膜探测器的制备工艺。实验得出采用表面腐蚀的最佳工艺条件(即用15％KI溶液作为化学腐蚀液，在300K温度，腐蚀约1分钟)，能有效地降低表面漏电流；研究了碘化汞电极制备中电极材料的选择、制备方法及其电极接触特性，用几种不同材料(Au、Cr、Cu、Sn和石墨)制备了电极，I-V特性测试表明电极材料与多晶碘化汞基本形成欧姆接触的电极。对制备的探测器进行了暗电流、电容频率和能谱响应特性等测试，结果表明制备的碘化汞多晶厚膜探测器的暗电流低，电容小(约1pF)，且对5.9keV的55FeX射线、5.5MeV的241Amα粒子有良好的响应，能量分辨率分别为3.8％和13.1％，因此，该探测器可用于实际辐射探测应用。