晶界一直是凝聚态物理和材料科学的重要研究对象。内耗谱技术可以在不破坏原有晶界结构的基础上研究晶界滑动和晶界结构的关系。本课题组前期在纯铝多晶和双晶的测量中均观察到了明显的内耗峰，确认了纯铝中晶界内耗峰的存在。为了进一步研究不同晶体结构的材料中晶界内耗的特征，我们生长了纯镁和纯铜的单晶，并制各了纯铜双晶进行晶界内耗测量。　　本工作第一部分是晶体生长。采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法，我们利用以硅碳棒为加热元件的晶体生长炉制备了纯镁单晶、纯铜单晶和纯铜双晶。通过不断的摸索，建立了合适的温场和符合要求的坩埚。并讨论了影响晶体质量的因素，其中温场、籽晶、坩埚及生长工艺参数等对生长优质晶体都很重要。　　本工作第二部分是纯铜单晶、双晶和多晶的晶界内耗研究。实验表明，当纯铜单晶内耗温度曲线上出现微弱的内耗峰（峰高为10-3量级）时，对测量后的单晶试样进行金相观察，发现单晶试样棱角处存在不连续的小晶粒。而当单晶内耗试样上不出现小晶粒时，内耗曲线上就不会出现这样的内耗峰。因此可以认为如果单晶试样在加工及装样过程中引入了内应力，则退火后试样边缘就会产生少量晶界，从而导致内耗曲线上出现微弱的内耗峰。所以真正的单晶不出现内耗峰。　　将单晶经过大的塑性形变（压缩变形量30％）后高温退火形成的多晶试样中出现了一个明显的晶界内耗峰，峰高为10-2量级，峰宽较宽(β为3-5)。其弛豫激活能约为1.5 eV，与文献报道的多晶纯铜的晶界内耗峰的结果类似。　　双晶中包括以<100>为转轴的对称倾侧晶界（两种取向差分别为:14.5°，23°）。所测的两种双晶试样中都出现了一个明显的内耗峰，但是不同取向差的晶界的弛豫参量有很大的不同。而<011>转轴46°双晶试样中的晶界是不稳定的。在第一次升温过程中，出现了一个不稳定的晶界内耗峰，在高温部分又出现了一个类似相变的内耗峰。在随后的降温测量及升温测量中两个内耗峰都不再出现，内耗曲线与单晶内耗曲线类似。测量后的金相观察发现，双晶中原来的晶界已经消失，说明晶界迁移出双晶，双晶试样变为单晶试样。证明双晶中的低温峰为晶界峰。