通过光催化反应将太阳能转换为化学能被认为是解决能源和环境危机的一种有效的方式。开发高性能光催化剂是实现高效光催化活性的关键。层状二硫化锡相对于二氧化钛等氧化物光催化剂具有更宽的光响应波段和较短的载流子迁移自由程的特点,是一种非常有潜力的可见光光催化剂。但二硫化锡较高的光生载流子复合率严重限制了其在光催化领域的应用。为解决上述问题,我们从材料制备和结构设计的角度出发,合成了具有丰富硫空位和表面离子改性的二硫化锡纳米片,研究其光催化性能。本文相关工作所取得的研究成果如下:（1）利用硫脲辅助低温固相法成功制备出富含S空位的高比表面积少层SnS₂纳米片,具有高载流子分离和输运能力,实现了优异的光催化Cr（Ⅵ）还原性能。在SnS₂中引入S空位相当于n型掺杂,提高了材料的导电性。S空位引入形成的浅电子陷阱能级可有效捕获激发态的光生电子,抑制了光生载流子的复合。硫脲在固相反应中起封端剂的作用限制了SnS₂沿c轴方向生长,促进少层纳米片的生长,片层结构减少了光生载流子的迁移距离。通过控制锡硫的投料比,可调控S空位浓度,分别获得R-SnS₂（富浓度硫空位）和P-SnS₂（贫浓度硫空位）。R-SnS₂相对于P-SnS₂具有更优异的光响应能力,能更有效地实现光生载流子的分离,光催化Cr（Ⅵ）还原效率相比P-SnS₂提高了约2.5倍。（2）以K₂Sn₂S₈为前驱物采用“自上而下”的制备方法获得了Ag⁺表面修饰的SnS₂纳米片,具有丰富的表面催化活性位点,实现了材料优异的甲基橙光催化降解能力。K₂Sn₂S₈在酸交换过程中,K⁺离子从层间脱出,富硫的[SnS₄（S₄）]^2-阴离子骨架发生重构,得到具有较多表面悬挂键的SnS₂纳米片。利用Ag-S键合,Ag⁺修饰后的样品具有更宽的光吸收范围和更丰富的催化活性位点,Ag-SnS₂-2（10%Ag-SnS₂）甲基橙降解效率相对于本征纳米SnS₂提高了3倍。