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硅锥阴极发射特性的数值模拟及其场致发射显示器的研制
硅锥阴极发射特性的数值模拟及其场致发射显示器的研制
来源 :西安交通大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:NewComeMan
【摘 要】
:
该课题的理论部分,用数值模拟方法研究硅锥阴极内部物理状诚及其对场致发射特性的影响,并在此基础上对锥阴极进行合理设计,在实验部分,制作经合理设计的Si-FEA,一方面用于理
【作 者】
:
皇甫鲁江
【机 构】
:
西安交通大学
【出 处】
:
西安交通大学
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
硅锥阴极
数值模拟
锥体设计
真空封装
场致发射显示器
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该课题的理论部分,用数值模拟方法研究硅锥阴极内部物理状诚及其对场致发射特性的影响,并在此基础上对锥阴极进行合理设计,在实验部分,制作经合理设计的Si-FEA,一方面用于理论研究结论的验证,另一方面用于制作场致发射平板显示器(FED),同时,需要开发配套的FED平板型真空封装技术.
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