该文在介绍了有关半导体氧化物SnO<,2>的性质及气敏机理之后,根据光传输理论导出介质消光系数,折射率与介质电磁参数,光波频率,电偶极子浓度和迁移率等关系,得出该实验系统中光透过率的数学表达式,用此关系式分析、探讨了产生薄膜气敏.该文进行了如下有关实验:在不同温度工艺下制备SnO<,2>薄膜,测量其光透过率的特性;在不同掺杂下制血SnO<,2>掺杂薄膜,测量其光透过率的特性;在不同浓度的同种还原气体下测量薄膜气敏的光透过率的特性;在不同种还气体下测量薄膜气敏的光透过率的特性.结果发现,镀膜温度、掺杂等都影响"气敏-光学"特性,还原气体浓度及种类也都影响"气敏-光学"特性.该文结合理论及实验结果、探讨了二氧化锡光学气敏机理.光照可以提高膜片氧吸附量和还原气体吸附量.光透过率的变化主要由电偶极子浓度和自由电子迁移率的变化谁占优势来决定,随气体浓度增加引起子浓度和自由电子迁移率的变化量大小是不同的,气敏膜显示出光谱特性.