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空间辐射环境中的带电粒子容易诱发CMOS器件发生单粒子锁定现象。为了对暗物质粒子卫星硅探测器星用关键器件VA140进行单粒子锁定效应的研究，采取了对VA140芯片进行地面模拟SEL实验的方法，其中包括激光诱发单粒子实验和重离子束流诱发单粒子实验。进过上述实验，对VA140芯片单粒子锁定防护措施的有效性进行了验证，并对VA140锁定电流范围和其锁定时的工作性能获得一定的了解。 论文的主要研究内容如下:第一部分对实验平台电路系统提出了具体的设计要求，并根据设计要求从硬件方面对电路系统进行了设计。第二部分，根据实验的具体要求，从FPGA软件设计和上位机软件设计两个方面阐述了实验平台软件的功能与实现。第三部分介绍了激光诱发单粒子实验和重离子束流诱发单粒子实验的实验过程和实验结果的分析。第四部分对VA140芯片的地面单粒子实验进行了总结，并对下面研究工作的重点进行了展望。