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在互补集成电路中，N型器件性能的偏低会限制整体的电路发展，本文针对N型器件迁移率偏低，对N型器件性能进一步的优化。 本文中对C60有机薄膜晶体管进行了制备和研究。利用真空镀膜技术从两方面的研究对器件进行优化：其一是研究了不同材料对绝缘层修饰后对器件的影响，同时进行衬底温度的提升，进一步对比了器件性能的变化；其二，研究电极修饰对器件性能的影响。 对不同修饰层、不同温度下C60形貌进行了对比，并且对电极修饰后器件性能提升的原因进行了分析。界面修饰后实现最大程度的器件优化，成功制备出了迁移率达到1.990cm2/Vs的器件。