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本文利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算，给出杂质态结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和Al组分的变化关系及其流体静压力效应，且与无限厚势垒情形进行比较，结果表明：有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时，在中间阱宽时，这两种情形的杂质态结合能差别最大，在宽阱时，差别最小，此外，还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响，结论类似于零压情形，但压力效应较零压时更为显著。