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【摘 要】
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InAsSb作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其具有带隙窄、电子迁移率高和稳定性好等特点，在微电子和红外探测领域有很大的应用前景。但是，高质量InAsSb外延膜的生长是比较困难的
【机 构】
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中国科学院大学
【出 处】
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中国科学院大学
【发表日期】
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2016年期
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