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近些年来,半导体Ge在工业、生活中的应用非常广泛。随着纳米芯片和纳米器件的尺寸逐步减小,纳米Ge呈现出了各种不同于Ge体材料的新颖物理特性。因此,探究这些物理特性背后的物理机制是非常具有科学意义和实用价值的。然而,在应用经典理论模型来讨论这些物理特性的过程中均遇到了一些难以突破的瓶颈。因此,采用一个全新的既能克服经典理论所遇到的阻碍又能从本质上解释这些新颖物理特性的理论模型是非常有必要的。本论文工作,综合应用键弛豫(BOLS)、非键电子极化(NEP)以及紧束缚近似(TB)的相关理论以及密度泛函理论计