【摘 要】
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阻变存储器是近十多年来备受关注的一种新型非易失性存储器,作为新二代非易失性存储器的候选者,它所表现出来的存储潜力远远超过其他几种存储器。电场调控磁性的研究在信息存
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阻变存储器是近十多年来备受关注的一种新型非易失性存储器,作为新二代非易失性存储器的候选者,它所表现出来的存储潜力远远超过其他几种存储器。电场调控磁性的研究在信息存储方面有至关重要的作用,电场调控磁性可以实现对信息的高速低功耗写入。器件多功能化正变得受人关注,同时引领着多种物理机制耦合作用的研究,阻变存储器跟磁性的耦合是一个典型的例子,利用电阻转变行为实现电场对磁性的调控,将电阻转变和磁性转变集中在一个器件中,可以实现信息的多态存储。本论文得到如下结论：1、Ag/SrTiO3/Pt阻变存储器件,测量器件的电阻转变特性及电场调控磁性,器件有明显的双极转变特性及随着电阻转变磁性是发生变化的,电阻的转变是因为银原子发生氧化还原反应导致银导电细丝的形成和断开,磁性的转变是随电阻转变过程薄膜材料中氧空位浓度发生变化引起。2、Ag/CeO2/Nb:SrTiO3/Ag和Ag/Sm2O3/Nb:SrTiO3/Ag阻变存储器件,测量两个器件的电阻转变特性及电场调控磁性,器件有明显的双极电阻转变特性及随着电阻转变磁性是发生变化的,其中电阻的转变特性是源于注入电子的束缚和退束缚过程对肖特基势垒的调制作用,磁性的转变是随电阻转变过程薄膜材料中氧空位浓度发生变化引起。3、Ta/Ta2O5/Pt测量器件,测量器件的电阻转变特性及电场调控磁性,电阻转变存在多级转变,并且还观察到器件随着电阻转变磁性是发生变化的。电阻的多级转变是因为Ta2O5转变到较高导电率的还原态TaO2及氧空位导电细丝的形成,然而磁性的转变是发生在电阻转变过程中氧空位浓度的变化引起的。4、电场对Sm2O3/MgO和Nd2O3/MgO结构的磁性的调控,在不同的溅射条件下,电场对其磁性的调控有所不同。
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