中波碲镉汞阳极氧化化学动力学研究

来源 :中国科学院上海技术物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:uuuu_uuu
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碲镉汞(MCT)是一种重要的制作红外探测器的半导体材料。它的表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为了必不可少的工艺步骤。表面钝化工艺是一种电化学反应,所以本文从化学动力学的角度重点研究3-5um波段MCT阳极氧化工艺中的若干问题,由生成物的化学组成对MCT阳极氧化层的组成结构进行分析,从反应的起源上解释阳极氧化膜的各种物理化学特点,并针对表面固定正电荷密度的控制、表面复合速度的抑制和氧化层厚度的主要决定因素判定等问题进行实验分析。本文根据碲、镉、汞三种元素在碱性溶液中的电极电势,计算出阳极氧化的先后顺序为Cd>Te>Hg,并构建了一种氧化过程模型,模拟溶液中负电荷离子渗入材料和材料内部各种离子的位置及价态变化,推导出组成结构,并成功解释了缺Hg区、富Cd区和富Te区的存在及其位置,同时开展了俄歇电子能谱(AES)系列实验、阳极氧化层附加电阻实验和表面复合速度实验,实验表明了表面固定正电荷密度由恒压氧化的时间控制,表面复合速度由表面固定正电荷密度和界面状况两方面起同等影响作用,氧化层厚度由恒流氧化的电流和时间决定,这些实验结果比较全面地论证了模型的正确性。
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