该论文用化学气相沉积的工艺,制备了几种宽带隙半导体材料的低维纳米结构,用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、荧光光谱等手段对这些纳米结构进行表征,并讨论了其生长机理.通过金属锡粉与氧气直接反应,成功地制备了SnO<,2>纳米线、纳米带以及纳米枝晶.X射线衍射、透射电镜分析表明合成的纳米结构是金红石结构二氧化锡.研究了氧化锡纳米线的拉曼光谱,发现由于氧空位、尺寸效应等原因声子振动峰弱化、宽化.荧光光谱分析显示了与氧空位、结构缺陷相关的能级发射.系统研究了实验参数对样品形貌的影响,讨论了这些纳米结构的生长机理,认为其生长是气-固过程,缺陷对这些纳米结构的形成可能起重要作用.通过催化剂辅助生长,在硅衬底上生长了氧化硅纳米线、包含空洞的纳米线以及纳米管等纳米结构.分析了这些纳米结构的生长机制,认为是一种变化的气-液-固过程控制其生长.用金属铟与氧气反应制备了氧化铟晶粒及纳米线.氧化铟晶粒尺寸在微米及亚微米级,具有正八面体的外形,讨论了其晶体结构与外形的关系,指出其生长是在近平衡条件下的气固过程.在较低过饱和度条件下制备了氧化铟纳米线.采用新的合成路线,以氧化镓粉末为反应物,与氨气直接反应制备了氮化镓纳米线、纳米带、纳米环等纳米结构、X射线衍射、透射电镜分析显示这些纳米结构是单晶六方氮化镓.实验发现这些纳米结构的产量和形貌与衬底的表面有重要关系.分析表明这些纳米结构的生长机制是气-固过程.通过金属镓与氨气反应,制备了大量的具有规则外形的GaN纳米棒,这些纳米棒的典型形貌在于其四边形的横截面.详细讨论了样品的拉曼和荧光光谱性质.通过金属铝粉与氨气反应,制备了氮化铝纳米线束,这些纳米线具有高度的分枝结构.