该文主要研究散热片的电磁发射的相关问题.采用MUR2吸收边界条件、多种激励源设置、时域近远场变换等方法,编制了针对电力电子器件上散热片的电磁辐射问题的FDTD程序.该程序的特点是考虑了实际激励源的特性(如DC-DC回路),并充分考虑了散热片和电力电子装置作用下的模型,包括求解电力电子器件与散热片间的耦合电容以及时频域变换等等.给出了散热片与DC-DC回路作用的模型,采用FDTD计算了散热片对DC-DC回路电磁特性的影响.结果表明电磁场集中在回路范围内.因此在设计电路时,应避免导线回路的出现.而且10cm量级的散热片并没有显著加大兆赫频率激励源的电磁辐射,相反某些位置的金属散热片会吸收一部分电磁场,从而减小了整个空间的电磁辐射.因此可以这么说:兆赫频段散热片对整个电路的电磁辐射特性不会产生显著性影响.所以作者在以后的章节中主要讨论吉赫频段散热片对整个电力电子电路的影响.研究了在频率很高时减小电磁辐射的几种方案,包括接地、屏蔽、改变激励源的位置.给出了接地增益的概念,可直接反映接地的效果.散热片的接地位置不同,对散热片的电磁特性会有影响.且接地点的个数越多并不意味着电磁特性的改善.接地在低频段比高频段效果明显.选择四边中心接地方式,会有较好的效果.加屏蔽层后电场明显减小,但是对于不同的测试点屏蔽的效果不同.采用加屏蔽层这种减小耦合电容的方法对于减低远场辐射效果也很明显.电力电子器件不应该靠近散热片边缘,而应该靠近散热片中心.而且器件靠近中心,热性能良好,产生的EMI激励散热片的谐振也可能更小.如果散热片尺寸大的话,不将器件安装在散热片两端尤为重要.还需要进一步研究散热片上小孔,小缝对电磁特性产生影响,以及采用散热片的电力电子器件中多个激励源的综合作用.为电力电子装置的电磁兼容问题解决提供更多的指导.