太阳电池缓冲层CdS和CdxZn1-xS薄膜的制备研究

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薄膜太阳电池作为一种新的能源正在得到迅速的发展和进步。CIS (CuInSe2, CuInS2等)系薄膜太阳电池因其较高的转换效率、较低的成本,现在越来越受到人们的关注。CdS薄膜作为CIS系薄膜太阳电池的缓冲层,其质量直接影响电池的光电转换效率。本文在玻璃衬底上采用化学水浴沉积法制备CdS和CdxZn1-xS薄膜,研究工艺参数对薄膜的影响规律。以CdSO4为镉源,SC(NH2)2为硫源,用氨水作为络合剂,(NH4)2SO4为缓冲剂,采用水浴法制备CdS薄膜,探讨了沉积时间、沉积温度和反应
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