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Flash闪存因其电荷存储机制的局限性，即将到达其理论尺寸的极限22nm。因此，急需寻找一种新型的不受尺寸限制的、集众多优点的替代型存储器。近几年来，许多新兴的存储器件应运而生，其中包括相变存储器、磁存储器、铁电存储器和阻变存储器。前三种新兴存储介质，分别因为mA级的高读写电流、与CMOS工艺兼容性差、居里温度等原因，限制了应用。然而，阻变存储器（RRAM）却脱颖而出，它具有结构简单，制造成本低，低功耗，高速读写，单个器件可缩小至数十纳米等特点。基于此背景下，本论文采用溶胶凝胶-退火烧结法制备了SnO2阻变层，磁控溅射沉积了柱状的Al电极，最终制得Al/SnO2/FTO结构的忆阻器，并做了相关测试和性能表征。另外，还在忆阻层中引入了Mn和Sb这两种掺杂元素，并对掺杂前后的性能做了系统性的对比和分析。主要内容如下：（1）采用SnCl4·5H20、C2H5OH、柠檬酸等配置前驱体溶胶，并采用旋涂法在FTO导电玻璃衬底上涂覆溶胶，烘干、不同温度退火焙烧，制得均一、稳定、规整的SnO2薄膜。采用磁控溅射的方法在SnO2薄膜上沉积了柱状Al上电极，最终得到Al/SnO2/FTO结构的忆阻器。在SnO2溶胶中也分别引入了Mn和Sb这两种掺杂元素，并采用相同的制备方法得到对应掺杂的忆阻薄膜。采用XRD、SEM、AFM等测试手段对非掺杂和掺杂的SnO2薄膜分别进行了性能表征。发现，非掺杂和掺杂之后的薄膜均为多晶纳米薄膜，晶型结构均为四方晶系金红石结构。薄膜较为致密，晶粒尺寸比较均匀。薄膜厚度存在着不同程度的高低起伏，起伏度在20～45nm左右。引入的掺杂元素并未改变原有薄膜的晶形结构，也并未引入杂相。Mn和Sb的引入都对晶粒的细化，膜的致密性起到了促进作用。所不同的是，Mn对薄膜的结晶性有抑制作用，Sb反之。最后，通过对以上三种SnO2薄膜做PL光致发光测试，验证了薄膜体系内部氧空位缺陷的存在。（2）分别对不含掺杂Al/SnO2/FTO结构的忆阻器、含掺杂Al/（Mn:SnO2）/FTO和Al/（Sb:SnO2）/FTO结构的忆阻器做了I-V特性和阻态保持的测试。结论如下：对未掺杂的器件来说，阻态开关比甚小，仅有100倍，忆阻器多次开启和关闭的重复性较差，复位电压相对较大。对于引入掺杂之后的器件来说，Mn和Sb的掺杂都极大的提升了开关比，分别为1000倍和5104倍，多次开关的重复性也有所提升，掺杂之后的复位电压明显减小。经分析，这可能是因为引入掺杂元素之后，激活了Al/SnO2界面处的电化学氧化还原。器件上界面的氧化还原和忆阻层体系内的细丝效应，两者的共同作用的结果是复位电压的下降。然而掺Sb的器件比掺Mn的在开关比上高出了2个数量级，这可能是与Mn的多价态以及掺杂之后晶格的错配度有关。（3）依次对实验的结果做了详细的叙述，并对相关现象做了合理的解释，提出了很多的不足，同时也对后期的工作做出了相关展望。