【摘 要】
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该文研究了用作薄介质栅的等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成的SiON薄膜与其击穿电学特性,探索该薄膜击穿电学特性与微观组分、反应室气压、衬底工作温度等的相互关
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该文研究了用作薄介质栅的等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成的SiO<,X>N<,Y>薄膜与其击穿电学特性,探索该薄膜击穿电学特性与微观组分、反应室气压、衬底工作温度等的相互关系.给出了击穿电学特性优良的SiO<,X>N<,Y>薄膜的优化PECVD工艺条件,同时对实验结果进行了理论分析与讨论.
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