铁电场效应晶体管(FFET)是当前非易失性存储器(NVM)领域的研究热点,它不但具有低功耗、读写速度快、高密度、永久性、抗辐射性等优点,而且还可实现非破坏性读出(NDRO),是铁电存储器未来主要的发展方向。　　本文以铁电场效应晶体管相关特性的建模与模拟为研究课题。在分析讨论传统MOS管和他人所提出的一些相关铁电经验模型的基础上,主要通过基本的物理方程和推导,基于传统的对MOSFET的建模和模拟的方法,借鉴了前人的经验和模型,引入铁电极化对器件性能的影响因子,对铁电场效应晶体管中栅介质材料铁电薄膜、铁电电容(MFM结构)、MFS/MFIS结构C-V特性、MFSFET和MFISFET结构铁电场效应晶体管的阈值电压、电场分布、ID-VD特性、ID-VG特性等进行了理论分析和模型改进,提出了更为简单有效的一系列新型物理模型。这些模型不但符合传统MOS晶体管的特性表征,更重要的是这些模型与反映栅介质铁电薄膜特性的参数联系了起来,能够体现铁电薄膜本身的极化特性和器件特性,与经验模型相比更具有通用性,而且易于仿真,已实现在软件Mathematics和Origin上的仿真与模拟,仿真结果与实验曲线吻合较好。这些实用而简单的模型有助于加深人们对铁电场效应晶体管器件结构与特性的理解,探索改善器件性能的方法和途径,为器件设计、制备和研究提供了有益的理论参考和实用的技术支持。