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高质量的高TC超导薄膜在微电子学及器件方面有着广阔应用前景,它的制备研究一直占据着超导研究工作的一个重要地位。完全c轴取向的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜的临界电流密度要比非完全c轴取向的薄膜高比几个数量级,但是,许多研究者表明:随着薄膜厚度的增加,YBCO薄膜会偏离c轴生长,达到一定厚度(~200nm)以后,将逐渐变为沿a轴生长。因此,本工作的主要目的是采用不同的烧结靶材利用脉冲激光沉积技术(PLD)在MgO(l00)基片上实现YBCO薄膜的择优生长。同时研究了制备SBCO薄膜的工艺参数,