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随着工业自动化的程度越来越高，高压VDMOS器件的作用正日益显现出来。根据本课题组研究工作可知，VDMOS功率器件的研制在我国还属于起步阶段，对于高压VDMOS的研究还不够成熟。因此本课题旨在设计VDMOS功率器件模型并对其进行仿真研究。通过计算与仿真分析找出高压VDMOS器件结构最佳化设计，器件达到漏源击穿电压800V的基本要求。 本文从VDMOS的特点和应用领域出发，介绍了VDMOS功率器件的基本结构和工作原理及VDMOS的静态和动态两部分特性参数。静态特性中关键的就是击穿电压和导通电阻的权衡问题，而动态特性主要是对寄生电容和开关特性进行了分析。 在器件设计方面，从结构及参数出发进行了设计计算，并分析了元胞基本结构，在满足预计设计的击穿电压基础上，设计器件各部分的掺杂浓度，为后续进行仿真奠定基础。 最后根据VDMOS的基本设计参数，做出网格分布图及半胞结构图，利用MEDICI软件分别对器件的静态特性和动态特性进行了仿真，并对仿真结果进行分析。在静态特性中，主要对击穿电压，I-V输出特性，转移特性及准饱和效应进行了仿真分析，并在不同的栅氧厚度条件下得出阈值电压的不同，改变P阱浓度也可以改变阈值电压，并且阈值电压随着温度的增加而下降。在动态特性方面，主要对电容特性和开关特性进行仿真分析，得出比较满意的结果，达到设计要求。