具有均匀肖特基势垒的Ni基4H-SiC接触的制备

来源 :上海师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lanyinghit

【摘要】

：

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料因其耐高温、耐高压等优异的性能被视为未来发展适用于极端环境的器件中不可或缺的材料之一。金属-半导体接触质量直接影响器件的应用,其中在肖特基接触存在的势垒不均匀性问题阻碍相关器件如肖特基二极管的广泛应用。近年来,研究者分别从表面和界面来探究SiC肖特基势垒不均匀机理并提出改善途径。本论文通过从界面微观角度研究Ni/SiC SBH不均匀性形成机理,并提出相应的改善方

【作者】

：

高萌萌

【出处】

：

上海师范大学

【发表日期】

：

2019年08期

【关键词】

：

碳化硅界面反应肖特基势垒不均匀

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