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多晶硅（Poly-Si）薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且与非晶硅相比具有较高的转换率和迁移率，其光电效率不会随光照时间的延续而衰减；与单晶硅相比，Poly-Si可在玻璃等廉价衬底上大面积低温制备，具有较低的制作成本，因此被公认为高效、低耗的理想光伏器件材料，目前已成为制备太阳能电池的热点材料之一。此外，Poly-Si也是制作传感器、薄膜晶体管（TFT）等器件的新型半导体替代材料。当前生产Poly-Si的方法主要有化学气相沉积法（CVD）、等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、液相外延法（LPE）、激光晶化法（LIC）、固相晶化法（SPC）和等离子溅射法等。在诸多方法中，由于PECVD具有实验参数控制简单，沉积温度低，工艺成熟，制备的薄膜质量高，较适合大规模工业化生产的特点，越来越受到人们的重视。实验采用自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）设备，以SiH4（氩气稀释率95％，即SiH4：Ar=1：19）为气源，在硅和普通玻璃衬底上沉积Poly-Si薄膜。使用微波源，利用ECR在低气压下产生非平衡等离子体，使SiH4易于分解沉积，大大降低了沉积温度（<600℃）；以SiH4和H2为反应气体可以减少薄膜中卤化物的含量，用Ar气稀释SiH4可以辅助反应物放电，并有利于刻蚀薄膜中能量较弱的Si-Si键形成高质量的Poly-Si薄膜。在玻璃衬底上很难直接沉积质量较高的Poly-Si薄膜。主要原因是玻璃相对Poly-Si薄膜来说为非晶异质衬底，衬底结构对薄膜的沉积影响很大。为了解决这个问题，本文在玻璃衬底和后续Poly-Si薄膜之间引入了中间层。利用高能电子衍射（RHEED），X射线衍射谱（XRD），拉曼光谱（Raman）和透射电镜（TEM），研究了中间层对后续Poly-Si薄膜生长的影响，得出了低温沉积Poly-Si薄膜的适宜工艺参数。