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该文从理论上详细研究了在负偏压条件下,射频溅射技术淀积的W<,0.95>Ni<,0.05>表面应变薄膜在InGaAsP/InP双异质结结构内形成的应力场分布,这应力场分布使相应区域内的介电常数发生变化,形成了制作光电子器件需要的光弹波导结构.实验结果证明了由射频溅射淀积的W<,0.95>Ni<,0.05>表面应变薄膜在InGaAsP/InP双异质结内形成的光弹波导不仅对光有很好的侧向限制作用,而且具有很好的热稳定性.理论研究结果表明:条宽为2μm和4μm的W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条,在InGaAsP/InP双异质结构内z=1μm深处,半导体的介电常数增加量△ε<,xx>的最大值(位于条形波导的轴中央)分别为8.08×10<-2>和8.6×10<-2>.在我们所计算的0.2至2μm深度范围内,W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的光弹条形波导结构在其轴中央的介电常数分别增加2.3×10<-1>至2.2×10<-2>(2μm应变条宽),和1.2×10<-1>至4.1×10<-2>(4μm应变条宽).实验结果证明了,由W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的光弹条形波导具有很高的热稳定性.同时研究了W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的光弹条形波导结构在其轴中央的介电常数分布的最大值的分布条件,在应力为-9.7×10<5>dyn/cm的条件下,当满足d<,opt>=3.02z的条件时,轴中央的介电常数具有最大值(△ε<,xx>)max=0.096/z,利用这些关系式可以很容易的对光弹波导进行最优设计.理论研究了20μm宽的W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条型窗口在InGaAsP/InP双异质结构中形成的光弹波导结构.在条形窗口下从1 μm到2μm的深度变化范围内,InGaAsP/InP双异质结光弹波导的导波强度为2.9×10<-2>和0.7×10<-2>.得到了条形窗口结构下InP/InGaAsP双异质结内由应变引起的波导到反波导结构的转变条件的解析式,在应力为-9.7×10<5>dyn/cm的情况下条形窗口结构在满足窗口宽度大于5倍深度(d>5z,z为深度,d为WNi条型窗口的宽度)或窗口宽度小于0.93倍深度时(d<0.93z),InGaAsP/InP双异质结内存在光弹波导结构.理论研究了由4μm宽的W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条和20μm宽的W<,0.95>Ni<,0.05>薄膜应变条型窗口的组合结构在InGaAsP/InP双异质结构中形成的光弹波导结构.在半导体内深度1μm到3μm范围内,组合结构在InGaAsP/InP双异质结构中形成的光弹波导的导波强度为1.2×10<-1>-2.3×10<-2>.