反应磁控溅射制备掺钨氧化钒薄膜的研究

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【摘要】

：

VO_2薄膜是一种具有典型热致相变特性的功能材料,在68℃附近会发生低温半导体态到高温金属态的可逆转变,在转变过程中电阻率和红外透过率等物理性质会发生急剧变化。但VO_2很多用途都要求温度在室温附近,如:智能窗、红外探测器等,而掺杂能有效的降低相变温度。目前沉积VO_2薄膜的主要方法为反应磁控溅射法,但钒的氧化物非常复杂,制备单一物相的VO_2薄膜非常困难,而V_2O_5薄膜却很容易制备,可以利用

【作者】

：

陈爽

【机构】

：

中南大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

反应磁控溅射 VO2 掺钨真空退火热致相变

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