准同型相界附近的(1-x)Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O3-xPbTiO<,3>(PMNT)单晶具有非常优异的介电、压电和应变性能,在铁电领域引起了广泛的研究兴趣,而且大尺寸的优质PMNT单晶已经可以批量的生长,从而使之有可能成为新一代压电驱动器的首选材料.但目前对于究竟有多大的应变量能够在实际中得到应用,适合于驱动器应用的晶体组分范围是多少,还有偏置电场、温度和压力对晶体和驱动器的电学、力学性能的影响等等都需要进行系统深入的研究.本文主要针对这些问题开展了晶体的应变性能及其在驱动器中应用的工作并得到了以下的结果.较系统深入地研究了不同组分和不同取向的PMNT单晶,在不同温度下的电滞回线和双电场下的应变曲线.系统地研究了不同取向、不同组分的PMNT单晶,在单向电场下其应变性能的特征.通过偏光显微镜研究了<001>取向PMNT晶体的畴结构随电场的变化,对于三方PMN-30％PT和PMN-31.5％PT的晶体,在电场的诱导下发生铁电三方相<-->铁电单斜M<,A>相<-->高电场下四方相的可逆相变次序;实时电畴的观察发现,单斜MA相的消光位置,随着电场的升高,逐渐从三方相消光位置向四方相消光位置靠拢,反映了单斜MA相的极化方向从<111>方向向<001>方向的偏转途径,也是晶体能够获得高场致应变的本质原因;对于准同型相界PMN-34％PT的晶体,加电场变化的次序为三方→三方和四方共存<-->四方相的相演变过程;对于自发极化方向PMN-38％PT四方相晶体的畴结构,加电场容易单畴化,撤去电场后,晶体容易退回到多畴状态.系统地研究了单轴压应力对晶体的机电性能的影响.制备了一系列各种尺寸的层叠式PMNT晶体压电驱动器,其性能具有位移输出量大、应变曲线线性好、迟滞效应较小,温度稳定性较好等特点.