【摘 要】
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突触强度的可塑性被认为很可能是学习记忆和活动依赖性环路构建的重要机制.但突触效率以外的神经元特性也会被其电活动改变.突触前一后神经元的相关活动能够诱导长时程增强(L
【出 处】
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中国科学院上海生命科学研究院神经科学研究所 中国科学院神经科学研究所 中国科学院上海生命科学研究院
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突触强度的可塑性被认为很可能是学习记忆和活动依赖性环路构建的重要机制.但突触效率以外的神经元特性也会被其电活动改变.突触前一后神经元的相关活动能够诱导长时程增强(LTP)现象,同时也可以持续的提高突触前神经元内在兴奋性.问题是与长时程增强互补的、长时程抑制(LTD)现象是否与突触前整体兴奋性相关.在大鼠海马培养细胞和体感皮层脑片中用双膜片钳记录的方法研究发现,因相关活动而产生LTD的同时,突触前神经元的兴奋性是下降的.兴奋性调节与LTD的偶联只出现在两个谷氨酸能神经元之间.兴奋性下降的机制在突触后依赖于钙离子的动态变化,包括L型钙通道和钙依赖的内钙释放所引起的钙变化;在突触前则依赖于PKA和PKC的活性、以及这两种激酶相关的慢激活钾通道的调控.神经元兴奋性和突触强度的双向调控都依赖于类似的相关冲动时序,但反映了神经环路中两种不同的活动依赖性调节机制.活动依赖的整体兴奋性的双向改变可能在神经环路的信息处理中发挥重要作用.
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