【摘 要】
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该文首先使用N/CH这气源取代通常使用的H/CH气源系统,以微波等离子体辅助化学气相沉积法(MP-CVD)生长出纳米金刚石薄膜.进而研究了在系统中添加少量的氢气对于纳米金刚石薄膜
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该文首先使用N<,2>/CH<,4>这气源取代通常使用的H<,2>/CH<,4>气源系统,以微波等离子体辅助化学气相沉积法(MP-CVD)生长出纳米金刚石薄膜.进而研究了在系统中添加少量的氢气对于纳米金刚石薄膜的微观结构(石墨杂质含量、金刚石晶粒尺寸、N掺杂浓度等)的 控制.发出通过在气源中添加少量的氢气,能够消除薄膜中的石墨杂质,同时能实现对于纳米金刚石晶粒直径的控制.随着气源中氢气含量的增加(0-10sccm),金刚石晶粒直径从10nm增加到50nm左右.还探讨了利用ECR-微波CVD手段,在金刚石表面沉积碳氮(CN)薄膜的可能 性.发现得到的CN相中C和N形成一种类似金刚石中的C-C结合的非极性键,并且此种键在很 大的温度范围内都十分稳定.
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