现今,高压集成电路广泛应用于汽车电子、电源管理、开关电源和显示驱动等领域,成为发展最为迅速的功率半导体行业之一。绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT)具有耐压高、驱动电流能力强、开关速度快和功率损耗低等优点,已逐渐成为功率集成电路的核心电子元件。由于功率器件工作在高电压、大电流的环境下,面临着非常严峻的可靠性问题,而静电放电(ESD)是最重要的可靠性问题之一。此外,SOI-LIGBT器件存在寄生的PNPN结构,有发生闩锁的风险。因此,探究其ESD响应特性以及闩锁问题对提高功率集成电路的可靠性具有十分重要的意义。　　 本文基于Sentaurus TCAD仿真平台,首先研究了SOI-LIGBT器件在ESD应力下的电热特性,以及ESD脉冲的上升时间和电流大小对SOI-LIGBT器件瞬态特性的影响；其次研究了器件结构参数对SOI-LIGBT器件ESD性能的影响,并优化了该器件的ESD性能。最后研究了ESD应力下SOI-LIGBT器件的行为模型,分别用耦合的双极型晶体管模型和P-I-N二极管模型来表征该器件高阻态与低阻导通态的行为特征。　　 实验结果表明:SOI-LIGBT器件的维持电压Vh随着沟道长度的增大、P+体接触区长度的增加及P-body到阴极N+接触区距离的减小而增大。通过器件结构的优化,Vh从9.06V提高到25V,维持电流Ih从0.2mA／μm提高到15mA／μm；宽度为100μm的SOI-LIGBT器件在人体模型(HBM)下的静电击穿电压大于2KV。