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近年来,随着分子束外延技术(MBE)和纳机电系统加工技术的发展和应用,各种新型的超晶格量子阱器件被加工出来。由于尺寸变小而产生包含量子效应的各种效应就会凸显出来,基于这些效应的纳机电器件就会体现出新的特征和性能。本文在介观压阻效应的基础上,介绍了一种新的传感器,即单势垒量子阱电容电抗器,并通过对此单势垒量子阱结构加一定的应力,来改变材料的能带、参数和物理特性,最终达到提高电容电抗器的灵敏度和电容调制比的目的,高的电容调制比意味着高的器件工作频率。本文详细介绍了当一束电子波从发射极发射到集电