功率MOSFET器件是功率集成电路系统中的核心部分之一，其性能优劣直接影响功率集成系统产品的竞争力。传统功率VDMOS器件的导通电阻和击穿电压存在2.5次方的关系，这种关系被人们称为“硅限”，这种“极限”是器件功耗进一步降低的瓶颈。为此，理论界提出了超结原理，并研究出新型超结功率VDMOS器件。此后的数十年里，超结VDMOS器件在结构设计和工艺制造上得到了快速发展。　　 本文采用理论分析、TCAD软件辅助以及工艺流片相互结合的方法，设计了一款基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件。本文首先简要的介绍了VDMOS器件及其发展，详细分析了超结结构及其耐压原理；然后重点研究了Trench超结VDMOS器件的静态参数和动态参数及其影响因素，其中所研究的静态参数主要包括了器件的击穿电压、导通电阻和阈值电压等，动态参数主要包括了器件中各电容、体二极管反向恢复时间及雪崩耐量等。研究发现电荷不平衡效应对器件原胞结构不利，但在一定程度上有利于提高器件终端结构的耐压水平，因为电荷不平衡(p＞n)效应有利于横向耗尽，并且在终端结构边缘引入峰值电场，由此本文提出了一种新型终端结构。最后，基于以上的理论分析，结合模拟仿真手段，通过参数优化设计出了一款600V Trench超结VDMOS器件。　　 流片得到的Trench超结VDMOS器件分别用高压半导体分析仪Agilent B1505和一套自主开发的模拟应用测试系统，对各参数进行了测试验证，结果表明该器件击穿电压可达695V，特征导通电阻为35mΩ·cm2，雪崩耐量大于300mJ，体二极管恢复时间为300ns，达到了用于600V开关电源系统的设计目标要求。