【摘 要】
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该论文首先阐述了光硒化法制备铜铟硒太阳电池吸收层CIGS薄膜材料的工艺方法,在实验的基础上,通过对光硒化制备过程中,Cu/In配比、金属预置层结构、硒化温度、衬底升温速率等
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该论文首先阐述了光硒化法制备铜铟硒太阳电池吸收层CIGS薄膜材料的工艺方法,在实验的基础上,通过对光硒化制备过程中,Cu/In配比、金属预置层结构、硒化温度、衬底升温速率等等,对材料结构形成的影响及优化工艺的研究,使制备CIGS薄膜材料的重复性取得了重要进展,其性能有了很大的提高;CBD法制备CdS薄膜作为缓冲层的工艺过程,通过控制关键反应物,制备CdS薄膜材料的重复性取得了很好的进展,提高了材料的致密性;使用陶瓷靶替代金属靶制备ZnO(Al)薄膜,在高透过率的基础上,使窗口层的R<,□>大大降低,工艺的一致性很好;在上述优化工艺的基础上,试制了Glass/Mo/CIGS/CdS/ZnO/Al结构的太阳电池,对电池性能进行了分析与讨论,并对目前工艺中存在的问题提出了一些改进意见.
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