CaN材料的分子束外延生长及其特性研究

来源 :中国科学院物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Amjf123456

【摘要】

：

Ⅲ/Ⅴ氮化物半导体材料,由于其具有较宽的带隙,能够应用在蓝光和绿光发光波段的光电子器件和高温微电子器件中,因而成为国际上的研究热点之一.该论文的研究工作主要是采用射

【作者】

：

刘洪飞

【机构】

：

中国科学院物理研究所

【出处】

：

中国科学院物理研究所

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

分子束外延 Ⅲ/Ⅴ族氮化物高分辨X-射线衍射喇曼散射空间强度分布原子力显微镜晶体相结构初始生长层低温缓冲层

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Ⅲ/Ⅴ氮化物半导体材料,由于其具有较宽的带隙,能够应用在蓝光和绿光发光波段的光电子器件和高温微电子器件中,因而成为国际上的研究热点之一.该论文的研究工作主要是采用射频等离子体N<,2>源分子束外延系统(RF-MBE)在GaAs(001)衬底上生长GaN外延薄膜,并研究其特性,获得了一些新的结果.

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