【摘 要】
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该文研究了磁场中二维电子系统当电子填充至高朗道能级的关联性质.最近有关实验上发现的重要现象包括:1.当电子填充至第三朗道能级及以上时,在最高朗道能级的半填满附近,系统
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该文研究了磁场中二维电子系统当电子填充至高朗道能级的关联性质.最近有关实验上发现的重要现象包括:1.当电子填充至第三朗道能级及以上时,在最高朗道能级的半填满附近,系统的输运性质呈现出高度的各向异性;2.在第三朗道能级中出现重进入整数量子霍耳效应现象(RIQH);3.当在系统中加上平面内磁场时,系统的各向异性方向将垂直于平面内磁场的方向;尤其是,在垂直磁场下为分数量子霍耳态的y=5/2,当平面内磁场达到一定值时,也表现出各向异性.我们对上述性质进行了系统的研究.最后,在有平面内磁场的情况下,类比于Laughlin波函数,我们试图构造一种朗道规范下的分数量子霍耳态的变分基态波函数,这一波函数的有效性有待于进一步的精确对角化计算的验证.
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