TSV(Through Silicon Via)技术是穿透硅通孔技术的缩写,简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术方案。使用TSV工艺的产品,可以获得更好的电性能,实现低功耗、低噪声、更小的封装尺寸和多功能化,适应消费类电子产品的发展需求,是微电子技术未来发展的一种趋势。本文在COMSOL软件TSV电镀模块的基础上给出了一个含两种添加剂的TSV电镀仿真模型,并且利用实验验证了该仿真模型,同时根据实验结果进一步优化了仿真参数。通过对仿真过程的研究,可以直观的了解TSV电镀填充过程,对优化电镀工艺有一定的帮助。电镀铜填充是TSV技术的关键工艺,如何实现高深宽比的TSV的电镀铜填充一直是业界的难点问题。影响TSV电镀填充效果的因素有很多,比如TSV的尺寸、形貌,种子层的厚度、连续性,预处理工艺等。本文主要从电镀药液以及电镀的工艺条件这两个方面来研究TSV填充工艺。针对孔径10μm、孔深100μm的TSV,在12寸晶圆上实现了10x100μmTSV的无孔洞填充,并且保证过电镀铜层厚度满足后续工艺的要求。另外针对孔径30μm、孔深100μm的TSV的保形填充也做了一些研究,实现了较快的填充速率和较好的电镀覆盖率,能满足实际工艺的要求。本文旨在通过工艺的优化调整,得出一套稳定且经济的TSV填充的方法,从而提升TSV技术的良率,并降低工艺成本,为TSV技术的量产应用做出一些贡献。