【摘 要】
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GaN因其宽带隙直接跃迁型能带,其发光器件和激光器件具有很高光电转换效率,特别是其在三原色中的蓝、绿色发光频段,以及其器件10000小时以上的工作寿命,可望在彩色复印、彩色
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GaN因其宽带隙直接跃迁型能带,其发光器件和激光器件具有很高光电转换效率,特别是其在三原色中的蓝、绿色发光频段,以及其器件10000小时以上的工作寿命,可望在彩色复印、彩色打印,高分辩激光打印、大屏幕彩色显示、超薄电视显示等方面有着重要的应用,使得GaN系器件成为近些年来半导体工业界密切关注的焦点与热点.该文在电化学阳极腐蚀技术合成Al<,2>O<,3>有序阵列模板的基础上,设计采用高温气相反应原理和准一维材料气-液-固(VLS)与气-固相螺型位借无殖生长机制,首次成功地合成出GaN纳米颗粒有序纳米结构体系,GaN单晶纳米线有序纳米结构体系及超长GaN单晶纳米线的准一体系结构.提出的能级竞争模型对相应体系光致发光谱谱图上的紫外发光带、蓝光发光带及黄光发光带进行了合理的解释.
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