微腔激光器的动态特性与片上集成的研究

来源 :中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zht336
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
回音壁模式半导体激光器在近十几年来吸引了许多科研人员的研究兴趣,因其体积小、功耗低、易于集成等优点逐渐发展成为极具发展潜力的新一代光互连光源。微盘激光器作为一种典型的回音壁模式激光器,其模式耦合,直接调制响应和定向输出效率等特性均已被研究和报道。目前国际上报道的微盘激光器的小信号响应带宽一般不超过15GHz,与DFB,VCSEL等半导体激光器相比仍有一定差距。在本文中,我们进一步研究了温度、模式特性、注入锁定等因素对直接调制微腔激光器动态特性的影响,并提出了InP基的微腔激光器单片集成方案。具体研究工作和创新点如下:  基于时域有限差分方法与Padé近似的理论模拟方法研究了微腔激光器中的耦合模式特性,利用波导位置对八边形微腔和微盘激光器中耦合模式的影响实现了不同横模的选择性抑制或增强。通过传统的半导体制作工艺,实验上制作了BCB侧向限制的八边形微腔激光器,边模抑制比达到42 dB,小信号调制带宽超过15 GHz。另外,在实验制作的微盘激光器中观测到了不同的横模,发现其中的七边形模式与五边形模式相比具有更好的动态特性,而且可以通过波导夹角为6π/7的双波导微盘激光器实现很好的选模。  对直连输出波导的微盘激光器进行温度特性的系统研究,通过模拟仿真分析了BCB侧向限制的微盘激光器中的热场分布和瞬态温升,结合脉冲电流注入和直流电流注入的实验结果,得出了其温度随耗散功率的变化斜率约为0.93 K/mW。另外,研究了温度对半径为7μm的微腔激光器静态和动态特性的影响,并在287K的制冷温度下得到了1.5mA的阈值电流和边模抑制比超过45 dB的单模激射,动态特性方面实现了大于20GHz的小信号调制响应带宽,及30Gb/s调制速率下清晰的大信号调制眼图。  从速率方程出发,理论上绘制了光注入微腔激光器的注入锁定区域图以及预测了注入锁定状态对动态特性的影响。实验上搭建了可调谐光注入测试系统,测得了与理论预计类似的动态响应结果,半径为10μm的微盘激光器在7mA的偏置电流下,3dB调制带宽由自由工作状态下的5.6 GHz提高到注入锁定时17.6 GHz,增大了三倍左右。另外,基于光注入微腔激光器中的其他的非线性状态,还可以产生可调谐光生微波信号,我们还利用光电振荡器的原理,将微波信号的线宽由43 MHz窄化到小于10 kHz。  基于微腔激光器体积小、功耗低的特性,实验上实现了四波长微盘激光器通过侧向耦合波导的InP基集成和定向输出,得到了波长间隔和功率分布较为均匀的输出光谱。另外,我们还制作了InP基集成的双圆激光器,得到了两激光器均匀一致的输出特性,并且通过调节任意一个激光器的注入电流,可以得到和外光注入类似的互注入锁定过程,大大简化了光注入测试系统,为微腔激光器在光子集成中的应用提供了更广阔的发展空间。
其他文献
分子伴侣是维持生物体内蛋白稳态的重要分子家族。它们参与生命体的发育、生长、成熟的各个阶段,辅助其它蛋白折叠、组装、跨膜运输、指导降解等。在生物体受到胁迫时,分子伴侣
计算机辅助诊断不断增长的临床需求,促使医学图像处理方法也飞速发展。医学图像处理方法对医学科学研究以及临床诊断治疗具有重要意义,在放射治疗计划制定,手术导航,脑功能与结构
高速电吸收调制DFB激光器(EML)由于啁啾低、功耗低、稳定性高、结构紧凑、体积小等特点,成为高速长途干线光通信网的主要光源,是发达国家研究机构的研发热点.该论文立足于国
20世纪,德国音乐家欣德米特从马蒂斯的人生境遇中受到了对当前困境的启发,从而创作交响曲《画家马蒂斯》和同名歌剧.在交响曲《画家马蒂斯》中,欣德米特延续格吕内瓦尔德·马
学位
本研究结合《21世纪中国首都圈环境保护示范基地》项目的实施,以冀北生态建设区——丰宁县小坝子风沙治理区为例,旨在通过实地调研、科学分析、合理规划,探索出一条适合于此区域
学位
MAPK级联信号途径是真核生物重要和保守的信号转导方式,参与将细胞的外源刺激转导为细胞内的生理反应,调控许多重要的生物学过程。我们通过对拟南芥MKK7过表达突变体bud1的研究
学位
近几十年来,人类活动(化石燃料的燃烧、大量含N化肥的使用等)向大气中排放的含氮化合物激增,并引起大气氮沉降成比例增加。大气氮沉降已经并将继续对森林土壤主要温室气体(CO2
该文就是针对卫星移动通信系统中光通信子网络进行的路由选择分析,主要进行了三方面的理论分析及计算机仿真.1.卫星光通信网络路由选择中指向性的影响问题.2.卫星光通信网络
自然界存在大量表现复杂混沌行为的动力学系统.研究半导体非线性载流子输运起始于二十世纪六十年代.二十多年后,人们发现了半导体中的混沌现象,之后有许多学者对GaAs,InSb,In