【摘 要】
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高速电吸收调制DFB激光器(EML)由于啁啾低、功耗低、稳定性高、结构紧凑、体积小等特点,成为高速长途干线光通信网的主要光源,是发达国家研究机构的研发热点.该论文立足于国
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高速电吸收调制DFB激光器(EML)由于啁啾低、功耗低、稳定性高、结构紧凑、体积小等特点,成为高速长途干线光通信网的主要光源,是发达国家研究机构的研发热点.该论文立足于国内工艺条件,围绕高速电吸收调制DFB激光器的实用化开展了以下几个方面的工作:1、采用选择区域生长(SAG)技术方法,通过生长条件的优化,在SAG区生长出荧光谱强度、半高宽与平面生长的材料相当的多量子阱材料,并且实一邮50~60nm的荧光谱峰值偏调;(2)首交提出并制备结构简单、高稳定、高重复的单脊条形EML;3、在国内首次制作成功基于SAG-MQW的可调谐DBR激光器,调谐范围达6.5nm;首次提出并制作出自对准耦合波导DBR激光器;4、首次提出并制备出热调谐单脊条形EML;首次提出可位相调谐EML的理论模型.
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